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Révolution technologique: les téléphones quantiques débarquent

Un chercheur de l'EPFL décortique l'«effet tunnel» dans «Nature». Ce phénomène de la physique quantique pourrait bientôt remplacer l'électronique dans nos ordinateurs. Et doper nos systèmes de communication grâce à la réduction d'un facteur 100 du transport de l'énergie.

22 nov. 2011, 14:34
effet_tunnel

Une électronique 100 fois moins gourmande en énergie? Grâce à un phénomène quantique appelé «effet tunnel», des microchips d’un genre nouveau pourraient débarquer dans nos téléphones mobiles dès 2017. «Nature» publie une somme de cette technologie, sous la plume d’un chercheur de l’EPFL.

Un ordinateur actuel, ce n’est pas moins d’un milliard de transistors dans le seul processeur central. Autant de petits interrupteurs qui s’activent et se désactivent, fournissant les fameuses instructions binaires – des 0 et des 1 - à l’origine de nos emails, de l’affichage de vidéos ou des mouvements du pointeur de la souris.

Pour la recherche et l’industrie, la consommation électrique des transistors est l’un des nerfs de la guerre. La prochaine révolution devrait s’appeler tunnel-FET. Une technologie qui tire parti d’un phénomène quantique, désigné sous le nom d’effet tunnel.

A l’Ecole polytechnique fédérale de Lausanne (EPFL), mais aussi dans les laboratoires d’IBM Zürich ou du CEA-LETI (France), les recherches vont bon train. Dès 2017, la physique quantique s’invitera dans nos ordinateurs pour en diminuer la consommation jusqu’à un facteur de 100. Dans le cadre d’un dossier spécial de la revue «Nature» consacré au silicium, Adrian Ionescu, chercheur à l’EPFL, signe une «somme» sur le sujet.

Principe fondamental différent

Un transistor, c’est en quelque sorte un interrupteur à électrons. La technologie actuelle est dite « à effet de champ » : une tension électrique induit un canal d’électrons qui active le transistor. Cette technologie  touche actuellement à ses limites, notamment en termes de consommation.

La technologie tunnel-FET repose sur un principe fondamentalement différent. Dans le transistor, deux «chambres» sont séparées par une barrière d’énergie. Dans la première patientent des bataillons d’électrons – le transistor est désactivé. Une tension électrique leur donne l’énergie nécessaire pour traverser la barrière et passer dans la seconde chambre : le transistor est activé.

Production en 2017

«En changeant le principe du transistor classique à effet de champ par l’effet tunnel, nous pouvons diminuer la tension électrique des transistors de 1 volt à 0,2 volt», explique Adrian Ionescu. Pratiquement, cette baisse de la tension permettra de diviser la consommation électrique jusqu’à un facteur 100. Les puces de nouvelle génération combineront technologie classique et tunnel-FET. «Les prototypes actuels d’IBM ou du CEA ont été mis au point dans un cadre pré-industriel. Dès lors, on peut raisonnablement imaginer une production de masse aux alentours de 2017.»

Les microchips tunnel-FET seront particulièrement intéressants dans le domaine de l’électronique mobile. Ils permettront d’en améliorer significativement l’autonomie. «Pour l’instant, nous ne parlons pas encore de l’implémenter dans des supercalculateurs ou des datacenters, explique Adrian Ionescu.
Mais cette technologie permettra sans problème d’effectuer des tâches courantes, comme décoder une vidéo ou surfer sur internet.»

Consommation diminuée

Pour le chercheur, directeur du projet Guardian Angels, la technologie tunnel-FET est sans l’ombre d’un doute le prochain grand saut technologique dans le domaine des microprocesseurs. «Dans le projet Guardian Angels, nous avons notamment pour mission de trouver des solutions à même de diminuer la consommation des processeurs. Le tunnel-FET est la prochaine révolution qui nous permettra d’atteindre cet objectif.»


Demain l'ordinateur quantique par universcienceTV

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